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化学束外延系统 化学束外延 (Chemical Beam Epitaxy)融合了分子束外延(MEB)和化学气相沉积(CVD)优点,可以用来生长III-V族半导体薄膜,也可以用来沉积Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜,以及氧化物薄膜,包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO,ZrO2等。 CBE已经显示出非常显著的优越性,例如: 1 可控多元薄膜材料的沉积和掺杂,例如GaAsInP. 2 成分梯度可控:在一个衬底上可以按照预定生长不同成分薄膜材料,从而可以快速研究成分和镀膜材料性能的关系,优化成分对性能的影响。 3 厚度梯度可控:可以按照预定的数学模型/公式,在一个衬底上生长厚度梯度薄膜,实现不同厚度对薄膜性能的影响研究,从而优化厚度对性能的影响。 4 成分和厚度高度均匀性:经过成分和厚度的优化后,可以外延生长成分和厚度高度均匀的样品(对于直径300mm的衬底,不均匀性小于2%.),从而量化生长。 5 可能的生长速率范围大:通常达到10 nm/h至10μm/h。 6 高度可重复性,即使设备已使用数年。 7 可以通过(激光、离子)等辅助方式实现3D等复杂结构薄膜生长。 详细信息请咨询我们!  
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