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设备用途: 主要用于纳米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研究 开发。广泛应用于半导体行业、微电子及新材料领域。  设备特性: ▪ 设备采用FB-1500型分子泵真空系统。为了尽量减少污染,降低压力,增强耐腐蚀能力,整个系统全部采用不锈钢 (SUS 304)材料 ▪ 控靶是该设备沉积膜的关键部件。磁控靶性能特点:靶材利用率高,沉积速率可达(对Al)30A/s  ▪ 工作压力范围宽:0.2Pa~4Pa内磁控靶可以稳定工作。电压工作范围在300伏~1000伏之间 ▪ 备配备:a)基片旋转(自/公转);b)膜厚监控仪 c)质量流量计。 设备主要技术参数: ▪ 极限真空压力(Pa) 7×10-6Pa(溅射室) 6.6×10-4Pa(进样室) ▪ 靶直径(mm) Φ50 ▪ 靶单位面积功率(W/cm2) 20 ▪ 靶电源功率(W) DC1000 RF500 ▪ 基片加热温度(oC) 室温~400  ▪ 恢复真空时间 5X10-3Pa≤30分钟 ▪ 基片沉积速率(nm/s) 3(Al) ▪ 气体流量(slm) 0~200 ▪ 样品尺寸: Φ40, Φ75 
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本文阅读关键词:镀膜设备
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