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设备特点概述 适用范围:高纯度单晶生长及掺杂研究(for high purity single crystal diamond and doping research)、批量化生产单晶(for massive production of single crystal diamond) 生长速度:可高达50μm/h,甚至更高; 生长范围:可在直径50mm范围内生长、或者在直径100mm范围内生长。 单晶研究及掺杂、规模生产型 功率:2.45GHz,6KW; 水冷样品台:直径50mm,样品台旋转可选 真空系统:机械泵+涡轮分子泵TMP 控制系统:半自动或全自动控制 生长速率:高达 50μm/h,or even higher 多种子沉积: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20) 高水平单晶及掺杂工艺培训,现场演示单晶生长。 整体特点:专门为单晶生产及研究配置,易掺杂;可获得高纯度单晶金刚石(SCD),杂质含量<1ppm,无色透明单晶; 可实现高浓度B-doping、N-doping,获得高迁移率金刚石半导体,部分研究机构使用我们的设备已经实现产品化。大规模单晶生产型: 功率:915MHz,30KW 样品台:直径100mm,水冷,旋转 真空系统:机械泵+分子泵,真空度10-7 Torr 全自动控制模式,手动和半自动可选 生长速率:高达50μm/h 多种子同时生长: 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20) 整体特点:专门为大规模单晶生产配置;可获得高纯度单晶金刚石(SCD),可实掺杂,也可以使用该配置设备进行大面积UNCD/PCD生长(4-10'')。
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本文阅读关键词:MPCVD,CVD金刚石,单晶及掺杂,工艺培训,超高纯度金刚石
微波等离子CVD单晶生长系统(图)-图片展示区:


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发布时间: 价格说明: 微波等离子CVD单晶生长系统(图)面议
有效期: 产品数量: 微波等离子CVD单晶生长系统(图)现货
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公 司: 上海续波光电技术有限公司 联系人: 肖伟    添加为商业伙伴
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