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设备用于4-6″硅片淀积Si3N4、SiO2、Poly-Si、PSG、BPSG等薄膜生长工艺。1. 用工业微机对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。2. 采用进口压力控制系统,闭环控制,稳定性高。3. 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门,确保气路气密性。4. 具有完善的报警功能及安全互锁装置。5. 具有良好的人机界面,灵活的工艺性能。·  适用硅片尺寸:4-6″ ·  装片数量:25~100片/炉管 ·  工作温度范围:350~1100℃ ·  温区长度及精度:760mm≤±1℃/500mm·  温度梯度:0~30℃/500mm可调·  系统极限真空度:0.7Pa(6×10-3乇)·  工作压力范围: 67Pa~133Pa可调·  淀积膜种类:Si3N4、Poly-Si、SiO2·  淀积膜均匀性:Si3N4 片内 ±5% 片间 ±5% 批间 ±5%·  淀积膜均匀性:Poly-Si 片内 ±5% 片间 ±5% 批间 ±5%·  淀积膜均匀性:SiO2 片内 ±5% 片间 ±6% 批间 ±6%·  淀积膜厚度:1000~6000埃
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本文阅读关键词:低压化学气相淀积设备,cvd,cvd设备
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发布时间: 价格说明: LPCVD(图)面议
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公 司: 青岛赛瑞达设备制造有限公司 联系人: 宋德鹏    添加为商业伙伴
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