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LPCVD化学相沉积设备参数: 简单描述: 设备用途:用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。 设备特点:一次设定自动完成,可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。  LPCVD化学相沉积设备参数: 设备特点:一次设定自动完成,可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。 主要技术指标: ★制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜 ★温度400-900℃ ★恒温区600 mm±0.5℃ ★真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井 ★控温器采用进口5吋触摸屏 ★通入气体SiH4、NH3和N2 ★进口质量流量计控制 ★阀门用进口气动阀和减压阀 ★动作顺序为PLC编程控制 ★薄膜压力控制器加阀闭环控制压强。
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本文阅读关键词:用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。 设备特点:一次设定自动完成,可另配特气柜。
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发布时间: 价格说明: LPCVD化学相沉积设备面议
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公 司: 青岛育豪微电子设备有限公司 联系人: 陈庆建    添加为商业伙伴
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