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本设备用于太阳能电池生产制造行业,在125mm×125mm或156×156mm硅片上淀积Si3N4薄膜工艺。 1.工业微机对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。2. 采用进口压力控制系统,闭环控制,稳定性高。3. 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门,确保气路洁净度及气密性。4. 具有完善的报警功能及安全互锁装置。5. 具有超温报警与欠温报警、MFC报警、反应室压力报警、RF报警、高压空气压力报警、氮气压力报警等。6. 悬臂式送料装置,减少石英管磨损,设备安全性增强。7. 前置式射频引入方式,稳定、直观,易于操作。8. 双层反应室,易于维护和清理。9. 成熟产品,应用于国内多条太阳能电池片生产线,并出口海外。10.适合晶体硅太阳能新工艺的探索实验。 膜厚均匀性: 项目 片内 片间 批间 均匀性 ≤±3% ≤±4% ≤±5% 温度使用范围:150~400℃ 极限真空度: 优于1Pa 压力调节范围:13~300Pa 连续可调,闭环控制射频电源: 400KHz连续可调 工艺气体路数:3路 (SiH4、NH3、N2、) 温区长度(150~400℃):1000mm 温区稳定性(400℃): ±2℃ 温区稳定性(<400℃=: ±2℃ 温度梯度: 0~30℃/1000mm可调淀积速率: 30nm/min 深层折射率: 1.9~2.2每管生产率 升温时间: ≤50min整机控制方式:工业控制微机
本文阅读关键词:
减反射膜设备,PECVD,cvd设备
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青岛赛瑞达设备制造有限公司
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